Control technique of sapphire roughness in CMP processing

摘要：

蓝宝石是第三代半导体材料GaN的主要衬底材料，其表面质量直接影响器件的性能。对蓝宝石衬底片进行CMP研究，系统分析了影响CMP效果的多种因素，讨论了CMP机理模型，采用自制的小拉径((20-30nm)、低分散度的Si02水溶胶磨料，避免由拉径不均匀造成的划伤，在抛光过程中向CMP桨料中加入复合表面活性剂，降低了表面张力，实现了高凹凸选择性和低粗糙度。质量传递和温度成正向关系，温度愈高，传递速度越快、速率差愈大，通过控制适当的温度实现了粗糙度达亚纳米级，最佳值达到0.2nm，获得了比校完美的蓝宝石表面状态。

关键词： 化学机械抛光 蓝宝石 粗糙度 温度控制

作者: LIU Yu-ling TAN Bai-mei NIU Xin-huan ZHAO Hai-tao

作者单位: Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China

会议类型: 国内会议

会议名称: 二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛

会议地点: 天津

会议语种:英文

页码: 209-212

在线出版日期: 2008-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）