退火对Ta/AlOx/NiFe/AlOx/Ta超薄薄膜性能影响的研究
本文采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将2nm厚的AlOx层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe与NiFe/Ta界面,研究了退火对超薄NiFe薄膜性能的影响。传统的Ta/NiFe/Ta超薄薄膜,在退火后薄膜性能下降,磁电阻变化率及磁场灵敏度均出现下降趋势，而具有AlOx插层的NiFe薄膜,在退火后性能得到明显改善,磁电阻变化率及磁场灵敏度均得到大幅度提高。性能提高的主要原因是AlOx插层在退火以后晶化,对传导电子起到“镜面反射”作用,并同时抑制了Ta/NiFe与NiFe/Ta界面间的界面反应,减少了Ta层的分流。
超薄薄膜 磁控溅射 AlOx层插入 异性磁电阻
丁雷 王乐 滕蛟 于广华
北京科技大学,材料物理与化学系,北京,100083
国内会议
天津
中文
289-291
2008-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）