电子辐照NTD硅层中缺陷态的退火特性

摘要：

该文报导了高阴（４５～７０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ〈’＋〉ｎｎ〈’＋〉结的硅层中，经电子辐照后缺陷态的等温、等时退火特性，而且获得了主要缺陷态能级Ｅ〈，３〉、Ｅ〈，４〉的缺陷激活能和频率因子。

关键词： 电子辐照 硅 缺陷 退火特性 中子嬗变掺杂

作者: 戴培英 董友梅 郭敏 张宇翔

作者单位: 大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 183～186

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）