高密度NAND Flash存储器与发展趋势探讨

摘要：

介绍三星电子研发的高密度系列NAND Flash存储器的内部结构设计和引脚配置,读数据、页面编程和存储块擦除等存取原理和操作时序,分析和探讨了NAND Flash芯片的发展趋势.

关键词： NAND Flash存储器 存取原理 操作时序

作者: 陈晓风

作者单位: 福建师范大学数学与计算机科学学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届（2008年）海峡两岸科技与经济论坛

会议地点: 福州

会议语种:中文

页码: 114-118

在线出版日期: 2008-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）