阶梯厚度漂移区SOI横向高压器件

摘要：

本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种新高压器件结构——阶梯漂移区SOI结构,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理.研究表明,阶梯漂移区结构可在提高击空电压5％～10％的同时,漂移区电阻大幅度降低48％～52％,而且漂移区尺寸也可缩小10％,且采用一阶或二阶阶梯即可达到接近线性漂移区的理想效果.进一步研究表明,和线性或阶梯掺杂漂移区相比,该器件还具有工艺容差大、制造时无高温过程、工艺成本低等优点.

关键词： SOI结构 阶梯漂移区 击穿电压 横向变掺杂 高压器件

作者: 郭宇锋 王志功

作者单位: 南京邮电大学光电工程学院,南京 210003 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京 210096 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京 210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年(第十届)中国科协年会

会议地点: 郑州

会议语种:中文

页码: 21-26

在线出版日期: 2008-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）