高性能CMOS带隙电流源的设计与分析

摘要：

本文采用共源共栅结构作为负载结构,设计并实现了一个高性能的CMOS带隙电流源。此电路基于Charterd COMS 0.35混合信号模型的仿真，电路的输出电流在0℃-80℃的温度范围内温度系数为9.792ppm/℃。此电路版图已提交Charterd COMS 0.35流片。

关键词： 带隙电流源 集成电路 芯片设计 共栅结构

作者: 刘凤梅 刘红侠 张耀辉

作者单位: 西安电子科技大学电子学院,西安 710071 中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215125 西安电子科技大学电子学院,西安 710071 中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215125

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年(第十届)中国科协年会

会议地点: 郑州

会议语种:中文

页码: 19-25

在线出版日期: 2008-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）