溅射工艺对SiCN扩散阻挡层薄膜的影响
本文采用射频磁控反应溅过去制备了SiCN簿膜,利用台阶仪、原了力显微镜(AFM)）、X射线衍射(XRD)表征了薄膜的形貌结构。研究了工艺参加如射频功率、N2/Ar工作气流量比以及快速热处理对薄膜沉积速率、表面形貌、物相结构的影响。结果表明：溅射功率的提高使沉积速率随之提高,但所得簿膜的表面粗糙度也随之变大；N2/Ar流量比的增大对沉积速率的影响不大，但能显减小薄膜表面粗糙度；沉积态SiCN薄膜为无定型的非晶结构,有很好的热稳定牲,经1200℃退火后才出现微弱的晶相,晶化温度在1000℃以上。
半导体薄膜 扩散阻挡层 SiCN扩散 磁控溅射
石之杰 周继承 郑旭强
中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083
国内会议
郑州
中文
527-531
2008-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）