Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究

摘要：

采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的(111)织构;同时,50nm厚的Ta阻挡层能够有效阻止Cu原子向Si体内的扩散.

关键词： 铜互连线 晶体学取向 扩散阻挡层 钽 铜薄膜

作者: 王晓冬 吉元 李志国 夏洋 刘丹敏 肖卫强

作者单位: 中国人民武装警察部队学院基础部,河北廊坊,065000 北京工业大学同体微结构与性能研究所,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 中国科学院微电子中心,北京,100029 北京工业大学同体微结构与性能研究所,北京.100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国数学力学物理学高新技术交叉研究学会第十二届学术年会

会议地点: 四川峨眉山

会议语种:中文

页码: 374-376

在线出版日期: 2008-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）