ULSI中CMP纳米磨料制备技术的研究
本文介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果:15~20 nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液、用于介质CMP的120nm水溶胶磨料抛光液、内连线钨和铝插塞的CMP纳米SiO2磨料碱性抛光液及ULSI硅衬底CMP抛光液及切削液、磨削液、倒角液和应力控制技术等研究成果。
超大规模集成电路 碱性抛光液 水溶胶 纳米磨料
刘玉岭 檀柏梅 李薇薇
河北工业大学微电子研究所 300130
国内会议
上海
中文
77-82
2004-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)