反应离子刻蚀中工艺参数的影响

摘要：

本文主要阐述了反应离子刻蚀机的刻蚀机理，及工作压强、基片温度对刻蚀速率的影响，并根据实验结果分析了其产生的原因。

关键词： 集成电路 芯片制造 刻蚀工艺 反应离子刻蚀

作者: 禹庆荣 范迎新

作者单位: 中国电子科技集团(公司)第48研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003中国国际集成电路研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 291-293

在线出版日期: 2003-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）