高密度NOR Flash存储器及其发展趋势

摘要：

介绍三星电子最新发布的高密度NOR Flash存储芯片的内部结构设计和引脚配置，读数，编程和擦除的操作方法与存取时序，分析和探讨了NOR Flash存储器的发展趋势。

关键词： 存取时序 操作方法 存储芯片 结构设计 内部结构 引脚配置

作者: 陈晓风

作者单位: 福建师范大学数学与计算机科学学院,福建福州 350007

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第19届计算机技术与应用学术会议(CACIS·2008)

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 639-643

在线出版日期: 2008-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）