离子注入制备Si基稀磁半导体研究

摘要：

用200KvMn离子注入p型Si（001）单晶，在1×1015～5×1016Mn+/cm2注入剂量范围内都观测到磁滞回线，表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的增加，饱和磁化强度有增强的趋势，退火后磁化强度较退火前有较大幅度的减小，增加退火温度又逐渐增加。Mn原子的平均磁矩随着注入剂量的增加逐渐减小。对于高注入剂量样品，退火后Mn原子磁矩值较退火前显著减小，增加退火温度，磁矩值逐渐增加。对于低注入剂量样品，Mn原子磁矩值则呈现出随退火温度增加而略有增加，而后又大幅度减小。

关键词： 硅基稀磁半导体 离子注入 退火 磁化强度 铁磁性

作者: 欧阳中亮 陈海英 C.X.Liu 郭立平 黎明 叶舟 施训 艾志伟 彭挺 付德君 杜红林

作者单位: 武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室,武汉,430072 北京大学物理学院,北京,100871 Department of Mathematics,Alabama A&M University,4900 Meridian Street,Normal,AL 35762,USA

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 251-255

在线出版日期: 2008-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）