等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究

摘要：

以六甲基二硅氧烷（（CH3）3-Si-O-Si-（CH3）3，HMDSO）为单体，在等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜过程中，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断，进行了不同功率、气压及O2与HMDSO比例等的影响研究。实验发现：高功率，低气压，及O2含量的增加有利于有机硅化合物的裂解，氧化硅沉积过程中质荷比为147的离子是气相反应形成含硅粒子的主要前驱体，对薄膜的形成起主要作用。

关键词： 氧化硅薄膜 薄膜生长 等离子增强化学气相沉积 质谱诊断

作者: 张军峰 陈强 张跃飞 刘福平 刘忠伟

作者单位: 北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理及材料研究室 北京 102600

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 211-216

在线出版日期: 2008-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）