CdMnS的制备及其铁电性研究
采用离子注入和共蒸发方法制备CdMnTe和CdMnS，研究其结构和电极化强度～电压特性，其中共蒸发形成的CdMnS薄膜呈六角多晶结构，测得CdMnS的剩余极化强度Pτ为1.72μC/cm2，矫顽场强Ec为14.3kV/cm。在Au掺杂的CdMnS样品中观测到铁磁性，居里点超过300K。在10K低温磁滞回线中，得到其剩余磁化强度和磁矫顽力分别为1.39x10-6emu和75.4高斯；同时在室温也观察到磁滞回线。磁力显微镜测试观察到了大小从几个纳米到一百纳米的磁性团簇，掺杂元素的浓度对其磁性影响较大。
CdMnS薄膜 铁电性 铁磁性 存储器
何俊 周霖 叶明生 郭立平 付德君
武汉大学加速器实验室 430072
国内会议
哈尔滨
中文
193-196
2008-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）