离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜

摘要：

自行设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置，并在Si（111）衬底上制备了AlN薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AlN薄膜的结构、形貌和成分。在最佳实验条件下制备的AlN薄膜具有（002）晶向的强衍射峰和相对较弱的（100）衍射峰，AlN（002）的衍射峰半高宽在612～648弧秒之间，气体流量、衬底偏压等沉积参数对薄膜的结构有明显的影响。

关键词： 氮化铝薄膜 中频磁控溅射 阳极层离子源 薄膜结构

作者: 任克飞 阴明利 邹长伟 付德君

作者单位: 武汉大学加速器实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 174-178

在线出版日期: 2008-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）