A位掺杂Bi2(Zn1/3 Nb2/3)O7陶瓷结构与介电性能
采用固相反应制备Bi2(Zn1/3Nb2/3)O7基陶瓷,并借助X射线、扫描电镜和Agilent4284测试仪研究A位Y3+、Er3+、Sb3+替代对Bi2+(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷结构、烧结温度和性能的影响。研究结果表明:当替代量x≤0.4时,样品均保持单一的单斜焦绿石相结构；Y3+离子替代的样品在960℃致密成瓷,Sb3+离子替代的样品在1000℃致密成瓷,Er33+离子替代的样品在1050℃可以致密成瓷；Y3+、Er3+替代样品的介电常数温度系数先增大后减小；Sb3+替代样品的介电常数温度系数由286.8421×10-6急剧减小到-171×10-6。因此,选择合适的离子替代可以获得性能很好的NPO介质材料。
铋基陶瓷 烧结温度 介电性能 固相反应 微波介质材料 相结构 掺杂改性
丁士华 张红霞 陈涛 宋天秀 张东 杨秀玲
西华大学材料科学与工程学院,四川 成都 610039
国内会议
南昌
中文
83-85
2008-04-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）