磁控溅射Ta-N薄膜的结构和电性能

摘要：

氮化钽压阻材料具有高温稳定性好、电阻温度系数小、应变因子大等优点，被广泛应用于航空发动机等极端条件下的应变测量。采用射频磁控溅射在Si(111)基片上制备了Ta-N薄膜，研究了氮分压、基片温度、溅射功率对薄膜微观结构和电性能的影响。试验结果表明，氮分压对Ta-N薄膜的微观结构和电性能有很大影响，随着氮分压从2％上升到12％，所制备薄膜分别为六角Ta2N、六角TaN和面心立方TaN，当在氮分压为8％的时候，薄膜的方阻最大，此时薄膜为六角TaN结构，适合于高温薄膜应变计研制。

关键词： 氮化钽薄膜 射频磁控溅射 方阻 氮化钽压阻材料 Si基片温度 薄膜应变计 电性能

作者: 周平贤 刘兴钊 李言荣

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年航空试验测试技术峰会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 322-324

在线出版日期: 2008-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）