ZrB2-SiC复合材料界面非晶层的形成机理

摘要：

ZrB2-SiC复合材料中的同质界面和异质界面处会生成界面非晶层(IGF)，IGF对高温陶瓷及其复合材料的性能有直接的影响．本文采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了ZrB2-SiC复合材料，对复合材料界面处生成的IGF特征进行了研究，阐述了IGF的形成机理，并对IGF的调控进行了展望，为减少ZrB2-SiC复合材料中的IGF和提高材料的性能提供了一定的理论指导。

关键词： 复合材料 晶界非晶层 形成机理 高温陶瓷 材料性能

作者: 徐强 朱时珍 郝桂亮 刘璇 王富耻

作者单位: 北京理工大学 材料科学与工程学院，北京 100081

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国复合材料学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 665-668

在线出版日期: 2008-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）