磁控溅射制备SiC薄膜的拉曼特性研究
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜,利用拉曼光谱分析了衬底温度和功率对SiC薄膜结构的影响。结果表明,薄膜中既含有晶型SiC又含有非晶型SiC,同时还含有石墨相和无定形碳。随着衬底温度的升高,SiC拉曼特征峰向低波数方向移动,薄膜晶粒尺寸减小,薄膜结晶程度提高。在衬底温度为室温条件下,功率对薄膜结构的影响较小。
磁控溅射 拉曼光谱 衬底温度 薄膜结构 碳化硅
祝元坤 朱嘉琦 韩杰才 陈娅冰
哈尔滨工业大学复合材料研究所,哈尔滨 150001 烟台工程职业技术学院,烟台 264006
国内会议
哈尔滨
中文
133-135
2008-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)