离子束增强沉积技术在薄膜制备中的应用研究

摘要：

详细讨论离子束增强沉积IBED技术的原理、技术优势和在薄膜生长中的应用。采用IBED在Si衬底上制备出了非晶态Al-N薄膜。结果发现，IBED制备得到的Al-N薄膜性质强烈依赖于制备过程中Al的蒸发速率，得出的生长条件是：衬底温度为700℃，以20 keV的能量注入氮离子，同时以0．05 nm/s蒸发Al，这样可得到高质量的非晶Al-N薄膜。该薄膜热稳定性高，表面粗糙度仅为0．13 nm，且在整个Si片上沉积均匀，能够满足应用需要。

关键词： 非晶态铝-氮薄膜 薄膜制备 离子束增强沉积 薄膜生长

作者: 门传玲 林成鲁

作者单位: 上海理工大学动力学院,上海 200093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国化工学会2008年化工机械年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 131-133

在线出版日期: 2008-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）