素坯氧化物填充剂对反应烧结碳化硅制备及性能的影响
本文探讨了氧化物填充剂(SiO2)含量对C-SiO2素坯渗硅烧结、材料物相组成及性能的影响，研究了C—SiO2素坯的渗硅烧结机理。结果表明，SiO2的加入有助于提高素坯的成形压力，使素坯平均孔径减小，孔径分布变窄，这有利于减少材料中游离fsi的含量、防止渗硅阻塞，提高SiC的转化率。C还原SiO2生成的SiO和CO的反应是造成坯体高温爆裂的原因，素坯经1 800℃真空处理后再渗硅烧结，可以得到致密的反应烧结碳化硅材料。材料性能为密度p=(3.05～3.12)g/cm3，强度σ=(580±32)MPa，硬度(HRA)91～92.3。
结构陶瓷 陶瓷烧结 坯体爆裂 素坯渗硅
吉晓莉 郭兵健 鄢永高 武七德
武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室，湖北 武汉 430070
国内会议
成都
中文
35-39
2003-10-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）