会议专题

GaP:N外延片的非损伤测量

N外延片 非损伤测量 发光二极管 砷化镓

陈显锋 董绵豫 丁祖昌

大学物理系(杭州)

国内会议

第六届全国LED产业研讨与学术会议

长春

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1998-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)