3C-SiC／Si（001）外延层残余应力的Raman光谱研究

摘要：

该文对用CVD方法外延生长的3C-SiC/S（001）材料的室温Raman光谱进行了分析、并对3C-SiC/Si材料中的残余应力进行了分析和计算。

关键词： 3C-SiC／Si（001） 外延层 残余应力 Raman光谱

作者: 朱建军 庞海

作者单位: 科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 78～81

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）