多晶硅晶界精细分布模型
为了研究多晶硅晶界载流子的输运过程和导电机制,建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布,利用这个模型,给出了改善的电流-电压特性方程.数值计算表明多晶硅电阻率随势垒高度的增加而呈线性地增加.另外,电阻率随掺杂浓度的增加而减小,当掺杂剂浓度约为1×10<”19>cm<”-3>,ρ和ρgb下降最快.结果表明晶界是高电阻区,晶界的这种精细分布描述,有助于进一步理解多晶硅的晶界特性,从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率.
电学特性 高斯分布模型 多晶硅 太阳电池 晶界特性 光电转换效率
孟凡英 崔容强 周之斌 孙铁囤
上海交通大学应用物理系太阳能研究所(上海)
国内会议
昆明
中文
55-58
2000-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）