会议专题

脉冲偏压电弧离子镀基础问题及应用研究

本文对脉冲偏压电弧离子镀基础问题进行了研究。结果表明,把脉冲偏压引入电弧离子镀工艺保持了其原有的高离化率、高沉积速率、成膜致密等优点,与传统的直流偏压相比,脉冲偏压引入频率和占空比两个控制变量,对成膜过程有更好的可控性,

离子镀层 离子沉积 脉冲偏压 离子镀工艺

张敏 林国强 董闯 闻立时

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116024

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2007-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)