抗辐照加固SOI SRAM研究

摘要：

介绍了SOI MOS单管三种总剂量辐照偏置条件，及其对器件阈值电压漂移的影响。指出埋氧层加固是抗总剂量的重要技术手段。采用抗辐照电路设计，对SOISRAM存储单元进行加固，大大提高了SOISRAM抗单粒子翻转的能力。

关键词： 抗辐照加固 绝缘体上硅 静态随机存储器 SOI SRAM 电路设计

作者: 毕津顺 海潮和

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十三届青年学术年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 207-211

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）