宽带单刀多掷PIN开关的设计

摘要：

本文介绍了微波PIN开关的电磁结构模型的建立及计算机仿真，讨论了宽带单刀多掷开关的设计要点。采用该方法成功设计了1～18GHz吸收式单刀五掷开关，其插损≤3.5dB，驻波≤2.2，隔离≥60dB。

关键词： 微波PIN开关 单刀多掷开关 插入损耗 隔离度 电磁结构模型 计算机仿真

作者: 许圣赋

作者单位: 中电科技集团公司第五十五研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十三届青年学术年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 183-186

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）