基于亚阈值区工作的偏置基准电路

摘要：

由于集成电路芯片设计普遍采用全局偏置技术，偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影响。本文利用MOS管工作在亚阈值区的偏置判断条件，分析了一种基于VT的工作在亚阈值区的偏置电流源，能满足提供较小工作电流、低功耗的要求，具有很高的电源抑制比和温度稳定性，适合低电压低功耗应用。

关键词： 亚阈值区 基准电路 峰值电流镜 低功耗 集成电路芯片 MOS管 电源抑制比

作者: 李向文 顾晓峰 臧佳锋

作者单位: 江南大学信息工程学院,江苏 无锡 214122

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十三届青年学术年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 155-158

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）