4H-SiC MESFET的非线性大信号模型

摘要：

基于大信号建模的方法和理论，分析了各种建模方法，为研究MESFET大信号建模提供了方法上的比较。在4H-SiC MESFET建模过程中，基于器件物理机制和物理结构考虑的物理模型已成为当前大信号特性建模的首选模型，这种模型反映了器件的实际工作状态，能够准确预测器件在不同工作条件下的物理特性，有助于优化器件的设计。

关键词： 4H-SiC MESFET 非线性大信号模型 大信号建模 器件优化 物理模型

作者: 任学峰 杨银堂 贾护军

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十三届青年学术年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 62-66

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）