一种应变硅半导体器件的模型及应变计算

摘要：

随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，器件内部的应变及其对性能的影响已经成为一个重要的研究课题。本文使用有限元法研究了一种采用SiGe源漏结构的PMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况。模拟结果与CBED实验测量数据能够较好地吻合，证明了利用有限元法分析应变硅器件中硅沟道的应变结果是可信的。结果表明沟道表面的应变达到-0.56％，明显高于内部更深处的应变。

关键词： 应变硅半导体器件 硅沟道 有限元法 SiGe源漏结构 PMOS晶体管

作者: 胥传金 顾晓峰 施昊 于宗光

作者单位: 江南大学信息工程学院,江苏 无锡 214122

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十三届青年学术年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 47-50

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）