不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应以及相关参数提取

摘要：

热载流子是器件可靠性研究中的一个重要方面。特别对于亚微米器件，热载流子失效是器件失效的最主要一个方面。通过对这种失效机理及其失效模型的研究，为设计和工艺提供帮助，从而有效降低由热载流子引起的电路失效，提高工艺可靠性。本文主要针对几种典型工艺的栅氧厚度(例如：Tox分别为150(A)、200(A)、250(A))的NMOSFET进行加速应力试验，运用提取到的相关模型参数，估计这些器件在正常工作条件下的寿命值，同时对亚微米工艺器件寿命进行快速评价。

关键词： 热载流子效应 栅氧厚度 NMOS管 失效模型参数 寿命值

作者: 赵文彬 陈慧蓉 章晓文 周川淼 于宗光

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 中电科技集团第58研究所,江苏 无锡 214035 信息产业部电子第五研究所,广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十三届青年学术年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 257-261

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）