用于SOI工艺的Ti/TiN/Al技术研究

摘要：

从理论上分析了当采用Ti 40nm+400℃ Al 450nm作为SOI流程的金属膜层时，器件参数异常甚至失效的原因，并通过实验验证了理论分析的正确性。在对实验数据进行对比分析后，得出了作为SOI流程的金属膜层的最佳结构：Ti40nm+101TiN60nm+400℃ Al 450nm。

关键词： SOI工艺 金属膜层 漏电 固溶度 最佳结构

作者: 聂圆燕 陈海峰 赵文彬

作者单位: 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏 无锡 214035

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十三届青年学术年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 223-225

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）