基于0.5μm SOI CMOS工艺的FPGA电路设计技术

摘要：

本文介绍了基于我所0.5um SOI CMOS工艺技术平台的万门级FPGA电路的设计。结合FPGA电路自身的特点，对电路从标准体硅CMOS工艺迁移到SOI CMOS工艺过程中，采用抗辐射加固的设计方法，在逻辑、版图以及可靠性等方面所作的分析和实践进行了总结。

关键词： SOI CMOS工艺 动态电路 体接触 FPGA电路 电路设计 抗辐射加固

作者: 刘明峰 朱玮 李彦铭 洪根深 肖志强 朱里嘉 郭良权 王成

作者单位: 中国电子科技集团第五十八研究所,江苏 无锡 214035;江苏大学电气工程学院,江苏 镇江 212000 中国电子科技集团第五十八研究所,江苏 无锡 214035

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十三届青年学术年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 217-222

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）