宽禁带微波功率器件发展态势研究

摘要：

讨论了以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带微波功率器件的研发现状及其材料开发现状，在美国DARPA的WBSTI计划的推动下，使宽禁带基的微波功率器件的研发有了突破性进展。本文侧重报道了美国和日本公司GdN器件的近期研发情况，并对固态微波功率器件的技术发展趋势进行了分析。

关键词： 宽禁带微波功率器件 碳化硅衬底 器件研发

作者: 孙再吉

作者单位: 中国电子科技集团公司第55研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 信息产业部雷达网第十七届年会暨雷达技术应用研讨会

会议地点: 福州

会议语种:中文

页码: 277-286

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）