超高频感应加热功率组件MOSFET突波抑制探讨
本文主要探讨超高频电磁感应加热供电器MOSFET功率组件,于应用时,为达到高稳定度需加考量的相关技术与要点,包括以零电压切换技术来达到突波抑制、防止功率组件震荡的MOSFET小信号模式分析、RBSOA的量测、MOSFET失效检视等课题,研究建构于3kW超高频感应加热供电器,工作频率最高可达1MHz,硬件架构采用串联共振系统,藉此供电器进行相关课题探讨研究。
感应加热 电磁感应 零电压切换 突波抑制 感应供电器
陈慕平 杨明哲 陈婉佩 陈柏燊 黄俊郎
台湾工业技术研究院(中国,台湾新竹310)
国内会议
合肥
中文
315-318
2007-10-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)