会议专题

超高频感应加热功率组件MOSFET突波抑制探讨

本文主要探讨超高频电磁感应加热供电器MOSFET功率组件,于应用时,为达到高稳定度需加考量的相关技术与要点,包括以零电压切换技术来达到突波抑制、防止功率组件震荡的MOSFET小信号模式分析、RBSOA的量测、MOSFET失效检视等课题,研究建构于3kW超高频感应加热供电器,工作频率最高可达1MHz,硬件架构采用串联共振系统,藉此供电器进行相关课题探讨研究。

感应加热 电磁感应 零电压切换 突波抑制 感应供电器

陈慕平 杨明哲 陈婉佩 陈柏燊 黄俊郎

台湾工业技术研究院(中国,台湾新竹310)

国内会议

中国电源学会全国电源技术年会(第17届)

合肥

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315-318

2007-10-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)