RSD短脉冲放电应用中的集肤效应研究
本文讨论了大功率超高速半导体开关RSD(Reversely SwitchedDynistor)导通时的集肤效应，在考虑了大注入效应和强场引起的雪崩电离效应的RSD模型基础上，得到了在集肤效应影响下的芯片上的电流密度分布，越靠近边沿电流密度越大，且随着电流上升率的提高芯片中心和边沿电流密度的差距加大，该结论得到了初步实验验证。基于此，在电流上升率很高的短脉冲放电应用中，应尽量使用小直径RSD芯片，以提高芯片面积的利用率。
半导体开关 脉冲放电 电离效应 集肤效应
梁琳 余岳辉 邓林峰 王玉彬
华中科技大学电子科学与技术系(武汉 430074)
国内会议
合肥
中文
48-49,6
2007-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）