ICP硅深槽刻蚀中的侧壁陡直度控制问题研究

摘要：

介绍了以SF6/O2为刻蚀气体，利用ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术制作仿壁虎刚毛微米孔阵列硅模板过程中，刻蚀参数与图形侧壁陡直度的关系。实验结果表明基板的温度、SF6/O2气体流量的比例是影响图形侧壁陡直度关键因素。通过优化刻蚀参数，改善了轮廓的刻蚀状况，得到的结果为：170um高垂直度为89.7°。

关键词： 侧壁陡直度 刻蚀参数 深槽刻蚀

作者: 倪林

作者单位: 中国科学院合肥智能机械研究所,合肥 230031

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国微全分析系统学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 41-42

在线出版日期: 2007-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）