异质结界面的暗电流检测

摘要：

本文采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有效性,指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法。

关键词： 半导体材料 外延结构 异质结界面 电学质量

作者: 林琳 刘英斌 陈宏泰 王晶 崔琦

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国MOCVD学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 296-298

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）