ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

摘要：

ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是P型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望。

关键词： 氧化锌薄膜 p型掺杂 共掺杂工艺

作者: 陈琨 范广涵 丁少锋 张丽敏

作者单位: 华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东广州 51063

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国MOCVD学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 268-273

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）