光辅助MOCVD法生长ZnO薄膜

摘要：

本文采用光辅助MOCVD技术在(100)p-Si和蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过光致发光(PL)谱、X射线衍射(XRD)仪和霍尔(Hall)测试等对薄膜的特性进行了表征,分析比较了光辅助对薄膜特性的影响。实验发现,光照可以改善薄膜的结晶质量和光学质量,并且光辅助条件下生长的薄膜具有更大的晶粒尺寸和较低的本底载流子浓度。分析其原因主要是由于光辅助有助于改善源的分解效率,并可抑制非故意引入的氢的掺入所致。另外光辐照提供的高能光子可为反应生成的原子提供足够高的激活能,易于其迁移到合适的晶格位置,因此光照条件下制备的样品具有更好的质量。

关键词： 氧化锌薄膜 MOCVD 光辅助 晶格位置

作者: 李香萍 张宝林 张源涛 董鑫 赵旺 夏晓川 杜国同

作者单位: 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室 长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室 大连 116023 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室 长春 130012;大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室 大连 116023

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国MOCVD学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 252-256

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）