Si基AlGaN/GaN HEMT外延材料

摘要：

利用MOCVD研究了无裂纹Si基AlGaN/GaN HEMT结构的外延生长工艺。在Si(111)衬底上生长高温AlN缓冲层,然后直接生长GaN沟道层,AlN插入层和AlGaN层。探讨了AlGaN和AlN插入层的生长工艺、厚度对HEMT表面形貌和电学性质的影响。

关键词： 半导体材料 HEMT结构 外延生长工艺

作者: 李忠辉 董逊 陈辰 张岚

作者单位: 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京 210016;中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国MOCVD学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 234-235

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）