氮化铟材料及器件

摘要：

InN材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。本文就InN材料的电学、光学特性及其器件的研究应用方面的最新进展做了综述。

关键词： 氮化铟材料 光学价值 电学特征

作者: 丁少锋 范广涵 李述体 郑树文

作者单位: 华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东广州 51063

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国MOCVD学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 217-223

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）