界面介质层对GaN基LED漏电流的影响

摘要：

在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制,通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟,讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响,介质层电阻比起LED的串联电阻小的多,可以忽略不计;但是随着器件的老化,介质层及其所含的缺陷会产生相当大的漏电流,使器件的可靠性和稳定性下降,也为LED的失效机理提供了理论依据。

关键词： 发光二极管 GaN基 界面介质层 欧姆接触 漏电流

作者: 李军 范广涵

作者单位: 华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东广州 510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国MOCVD学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 212-216

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）