无催化剂法MOCVD技术生长InP纳米线

摘要：

采用金属有机化学气相沉积技术,在Si(001)衬底上利用In纳米点作为成核点生长InP纳米线。扫描电子显微镜观察样品表面表明,InP纳米线根部弯曲、杂乱、与衬底所成的角度无规律,纳米线上端变直;纳米线直径为40-80nm,长度为0.5-2μm;纳米线顶端有球状In点,说明其生长机理为气-液-固(V-L-S)。透射电子显微镜(TEM)结果显示,纳米线为闪锌矿和纤维锌矿两种结构交替生长的结构。电子衍射表明纳米线是单晶结构。纳米线拉曼散射光谱存在两个散射峰,位置分别为302cm<”-1> (TO)、340cm<”-1> (LO)。

关键词： InP纳米线 MOCVD 单晶结构

作者: 于淑珍 缪国庆 金亿鑫 张铁民 李志明 宋航 蒋红 曹连振

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春 130033;中国科学院研究生院 北京 100049 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春 130033

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国MOCVD学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 178-180

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）