非致冷In<,0.53>Ga<,0.47>As/InP红外探测器材料与线列器件研究
近几年来,红外探测器得到迅速发展。随着需求的发展必然会提出既要功耗低、体积小、重量轻,又要有高性能价格比,而且使用方便的要求。因此非致冷红外探测器获得了巨大发展的动力。InGaAs是直接带隙材料,具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、光亮平整的表面,稳定性好,是一种短波红外探测器材料,因此可以利用InGaAs/InP材料体系制备红外探测器。而且由于外延层与衬底品格匹配,可以利用先进的生长技术获得高质量的In3GaAs/InP材料体系,它所制备的红外探测器可以在室温工作,可批量生产,具有高可靠性。
红外探测器 非致冷 电子迁移率 载流子浓度 线列器件 结构材料
缪国庆 张铁民 金亿鑫 于淑珍 蒋红 李志明 孙晓娟 宋航
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春130033 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春 130033
国内会议
广州
中文
175-177
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）