MOCVD生长蓝光LED外延片研究
采用MOCVD生长技术以Al<,2>O<,3>为衬底对GaN基材料及蓝光LED外延片生长进行了研究。用霍尔测量技术、光致发光技术、X射线衍射及原子力显微镜测量了GaN基材料的电学性能、光学性能、结晶性能以及表面形貌。生长GaN外延膜的厚度为2.5微米时,其(002)面和(102)面X射线双晶衍射峰半高宽分别为225arcsec, 256arcsec。原子力显微镜测量其位错密度为8×10<”7>/cm<”2>,表明其质量良好。对蓝光LED外延片的结构设计和生长进行了研究,获得了较好的结果。
半导体材料 GaN基 蓝光LED 外延片生长 MOCVD 霍尔测量
李述体 范广涵 周天明 何苗 章勇 孙慧卿 郭志友 郑树文
华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东广州 510631
国内会议
广州
中文
167-169
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）