ECR-MOPECVD生长GaN薄膜及等离子体发射光谱分析

摘要：

应用ECR-MOPECVD工艺,采用氮气和有机金属气源三甲基镓,在T=450℃条件下在a-Al<,2>O<,3>衬底上生长GaN薄膜。同时对等离子体发射光谱及GaN薄膜的x射线衍射进行了分析。

关键词： 半导体薄膜 GaN 等离子体 发射光谱

作者: 符斯列 陈俊芳

作者单位: 华南师范大学物理与电信工程学院 广州大学城 510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国MOCVD学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 143-145

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）