MOCVD生长高铝组分AlGaN材料研究

摘要：

通过优化蓝宝石衬底上AlN、AlGaN材料的生长温度、Ⅴ/Ⅲ、生长压力等工艺条件,得到了高质量的AlN、AlGaN材料,AlN双晶衍射(002)和(102)ω扫描半宽分别为870弧秒和118弧秒,Al<,0.6>Ga<,0.4>N双晶衍射ω(002)扫描半宽为240弧秒。

关键词： 半导体材料 AlGaN 高铝组分 MOCVD 生长温度

作者: 袁凤坡 梁栋 尹甲运 刘波 刘英斌 冯志宏

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室 石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国MOCVD学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 128-131

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）