Si(111)衬底GaN材料应力分析
采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品c在2μm厚GaN中间隔插入两AlN薄层,然后对样品进行了拉曼和光荧光测试分析。结果表明,随着插入层数的增加,GaN材料的E<,2>-high峰位逐渐接近体GaN材料的E<,2>-high峰位(无应力体GaN材料的E<,2>-high峰位为568cm<”-1>),即GaN材料的应力逐渐减小,从1.09Gpa减小到0.42Gpa。采用插入层技术,获得了2μm厚无裂纹GaN外延材料。
半导体材料 GaN Si衬底 MOCVD 插入层
尹甲运 刘波 袁凤坡 梁栋 冯志宏
中国电子科技集团公司第十三研究所 专用集成电路国家重点实验室 石家庄179信箱40分箱 050051
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125-127
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）