化合物半导体晶片材料研发与生产
本研发工作的主要内容包括:大尺寸化合物半导体晶体材料一砷化镓,精密垂直温差梯度冷凝法(VGF)的晶体生长;开盒即用级蓝宝石晶片和砷化镓晶片的精密研磨、CMP(化学机械)+CP(化学抛光)及清洗等。本研发工作开发了独特的CMP(化学机械抛光)之后的CP(化学抛光)工艺,使晶片的表面缺陷和表面杂质含量大大降低,大大提高了表面光洁度(Ra≤0.2纳米)和平整度。此外,晶片在100级净化环境下完成清洗过程,晶片表面在强光灯下无可见的尘埃颗粒、无云雾层等;表面经过设计好的清洗溶液作用形成一层纳米级厚度的氧化层,保护晶片氧化层下晶格完整无损无杂质污染。晶片一次性达到开盒即用A级水平率90％以上。
半导体晶片材料 砷化镓 表面杂质含量 光洁度
罗建国 黄朝辉 袁培雄
深圳市爱彼斯通半导体材料有限公司 深圳中国
国内会议
广州
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86-89
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）